한국센서연구소(주)

Business

한국센서연구소는 10년 후의 미래반도체 기술을 연구합니다.

반도체 WLR 신뢰성 서비스

반도체 소자 개발시에 WLR 만족은 가장 중요한 항목 중의 하나임
반도체 소자의 WLR을 정확하게 평가하는 것이 매우 중요함

Hot Carrier

Hot Carrier 수명 측정 분석
DC와 AC Hot Carrier 분석
Hot Carrier 열화 메커니즘 분석
CHC(Channel Hot Carrier)와
DAHC(Drain Avalanche Hot Carrier) 평가
Hot Carrier 수명의 온도 의존성 분석

NBTI/PBTI

NBTI(Negative Bias Temperature Instability)와
PBTI(Positive Bias Temperature Instability) 평가
NBTI/PBTI 수명 측정 분석
DC와 AC Hot Carrier 분석 가능
NBTI/PBTI 열화 메커니즘 분석
NBTI/PBTI 수명의 온도 의존성 분석

TDDB

반도체 소자의 Gate Dielectric 수명 평가
고용량 Capacitor의 수명 평가
TDDB 수명 측정 및 분석
TDDB 열화 메커니즘 분석
TDDB 수명의 온도 의존성 분석

우주·국방 반도체 시험분석 서비스

우주·국방용 반도체에 대한 항온항습 및 Mechanical Stress 인가 후 X-RAY를 이용한 정밀 구조 분석
우주·국방용 반도체의 고속 동작(반응 시간) 분석
우주·국방용 반도체의 Stand-by 전류 고정밀 분석
우주·국방용 반도체의 동작 특성 고정밀 분석
우주·국방용 반도체 소자의 신뢰성 정밀 분석

우주 국방용 반도체 분석

고속 동작 분석

신뢰성 고정밀 분석

고전압 고전류 반도체 분석

반도체 내부 구조 분석

우주 방사선 영향 분석

반도체 신뢰성 분석 서비스

고성능 반도체의 항온항습 신뢰성 분석
Mechanical Stress 인가 후 특성 분석
Threshold Voltage의 신뢰성 특성 정밀 분석
고성능 반도체의 온도 의존성 정밀 분석
메모리 반도체의 Endurance 특성 분석
메모리 반도체의 Disturb 특성 분석
다양한 반도체의 저주파 노이즈 분석

반도체의 다양한 분석 서비스

고온에서의 다양한 전기적 특성 분석 ( ~ 200 ℃)
저온에서의 다양한 전기적 특성 분석 (~ 100 K)
온도에 따른 소자 및 센서의 특성 변화 분석
Display 소자의 신뢰성 평가
Display 소자의 Mobile Ion 특성 평가
BEOL 신뢰성 평가 (PID, GOI, TDDB 등)
EM(Electro Migration), SM 특성평가

항온항습 및 Stress 인가 시험

Threshold Voltage 신뢰성 시험

고전류 고전압 반도체 분석

Endurance 특성 분석

Disturb 특성 분석

메모리 반도체의 주요특성 분석

Flicker Noise 특성 분석

RTS Noise 특성 분석

저주파 노이즈 분석

고주파 특성 평가/분석

MOSFET 소자, 저항(Resistor), 캐패시터(Capacitor), 인덕터(Inductor), 버랙터(Varactor) 등의 고주파 특성 측정/분석
Two-port System을 이용한 RF 영역에서 측정 및 분석
고주파 영역에서의 측정을 위한 Test Pattern 고안

GSG type의 Test Pattern 이용한 RF 특성 측정
소자에 대한 RF 영역에서의 Modeling 진행

시험 가능 소자 및 제품

반도체 소자(Si MOSFET, III-V MOSFET, Power MOSFET, etc..)
캐패시터(Discrete capacitor, 3-D capacitor, etc..)
저항
인덕터
바이오 소자/센서의 RF 특성
MEMS 소자/센서의 RF 특성

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